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Advanced Technical Information
MKI 50-12F7
IGBT Modules
I C25
= 65 A
V CES
H Bridge
Short Circuit SOA Capability
Square RBSOA
13
1
9
= 1200 V
V CE(sat) typ. = 3.2 V
2
3
4
10
11
12
16
14
17
MKI
IGBTs
Features
? Fast NPT IGBTs
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
- low saturation voltage
V CES
V GES
I C25
I C80
I CM
V CEK
t SC
T VJ = 25°C to 150°C
T C = 25°C
T C = 80°C
V GE = ± 15 V; R G = 13 ? ; T VJ = 125°C
RBSOA; clamped inductive load; L = 100 μH
V CE = 900 V; V GE = ± 15 V; R G = 13 ? ; T VJ = 125°C
SCSOA; non-repetitive
1200
± 20
65
45
100
V CES
10
V
V
A
A
A
μs
- positive temperature coefficient for
easy paralleling
- fast switching
- short tail current for optimized
performance also in resonant circuits
? HiPerFRED TM diode:
- fast reverse recovery
- low operating forward voltage
- low leakage current
? Industry Standard Package
- solderable pins for PCB mounting
- isolated copper base plate
P tot
T C = 25°C
350
W
- UL registered, E 72873
Typical Applications
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
- motor control
. DC motor amature winding
V CE(sat)
V GE(th)
I C = 50 A; V GE = 15 V; T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
I C = 2 mA; V GE = V CE
4.5
3.2
3.8
3.8
6.5
V
V
V
. DC motor excitation winding
. synchronous motor excitation winding
- supply of transformer primary winding
. power supplies
I CES
I GES
V CE = V CES ; V GE = 0 V;
V CE = 0 V; V GE = ± 20 V
T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
2.5
0.7
500
mA
mA
nA
. welding
. X-ray
. battery charger
t d(on)
130
ns
t r
t d(off)
t f
E on
E off
C ies
Q Gon
R thJC
Inductive load, T VJ = 125°C
V CE = 600 V; I C = 50 A
V GE = ±15 V; R G = 13 ?
V CE = 25 V; V GE = 0 V; f = 1 MHz
V CE = 600 V; V GE = 15 V; I C = 50 A
(per IGBT)
60
360
30
6.0
2.5
3.3
600
ns
ns
ns
mJ
mJ
nF
nC
0.35 K/W
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2004 IXYS All rights reserved
1-2
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